文章出处：沧州铝氧化  发布时间：2021-08-31 08:56

铝氧化的工艺流程：１上架;水洗;低温抛光。２磨砂料及磨砂电泳料氧化。３着色料及着色电泳料氧化。

 

二、上料：

1.型材上料前应将吊杆接触面打磨干净，并按标准支数上料，其计算公式：上料支数=标准电流标准电流密度单支型材面积

2.上架支数的考虑原则：a、硅机容量利用率不大于95%；b、电流密度取1.0—1.2A/dm;c、型材形状和两支型材之间留必要的间隙；

3.氧化时间的计算：氧化时间（t）=膜厚K·电流密度K为电解常数，取0.26—0.32，t单位为分钟；

4.上排时必须按照《型材面积及上排支数表》规定的支数上架；

5.为了便于排液和排气，上排捆扎时应倾斜，倾斜度5°为宜；

6.两端可超出导电杆10—20mm，最多不得大于50mm。

 

三、低温抛光工艺

1.低温抛光槽中低温抛光剂浓度控制为总酸25—30g/l，最低≥15g/l；

2.抛光槽温20-30℃不得低于20℃，抛光时间90—200s；

3.提架倾斜，滴净残液后，迅速放入清水槽中漂洗，经两道水洗后迅速放入氧化槽氧化，在水槽中停留时间不应大于3分钟；

4.低温抛光材料在抛光前不得进行其它方式的处理，也不能将其它槽液带入抛光槽中。